Система условных обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор. Используются буквы или цифры:
- Г или 1 - для германия или его соединений;
- К или 2 - для кремния или его соединений;
- А или 3 - для соединений галлия;
- И или 4 - для соединений индия.
Второй элемент - буква, определяющая подкласс (или группу) транзистора.
- Т - для биполярных транзисторов;
- П - для полевых.
Третий элемент - цифра, определяющая функциональные возможности транзистора. Для транзисторов малой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт):
1 - низкой частоты, с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (граничной частотой) не более 3 МГц;
2 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
3 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;
Для транзисторов средней мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 0,3 Вт, но не более 1,5 Вт):
4 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;
5 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
6 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;
Для транзисторов большой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт):
7 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;
8 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
9 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц.
Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки транзистора.
Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию транзисторов по параметрам. Для бескорпусных приборов в состав обозначения дополнительно через дефис вводится цифра, характеризующая соответствующую модификацию конструктивного исполнения:
1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);
2 - с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);
3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);
4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);
5 - с контактными площадками без клисталлодержателя (подложки) и без выводов;
6 - с контактными площадками на клисталлодержателе (подложке) и без выводов.
***
Отандық транзисторлардың нышандары - Кеңес Одағында жасалған
Транзисторлардың қазіргі түрлерінің символдық жүйесі OST 11 336.919-81 салалық стандартымен белгіленген. Белгілеу жүйесі әріптік-цифрлық кодқа негізделген.
Бірінші элемент транзистор жасалған бастапқы жартылай өткізгіш материалды білдіреді. Қолданылатын әріптер немесе сандар:
- G немесе 1 - германий немесе оның қосылыстары үшін;
- К немесе 2 - кремний немесе оның қосылыстары үшін;
- А немесе 3 - галлий қосылыстары үшін;
- Ал немесе 4 - индий қосылыстары үшін.
Екінші элемент транзистордың қосалқы сыныбын (немесе тобын) анықтайтын әріп болып табылады.
- T - биполярлы транзисторлар үшін;
- P - өріс үшін.
Үшінші элемент - транзистордың функционалдығын анықтайтын сан. Төмен қуатты транзисторлар үшін (қуаттың максималды шығыны 0,3 Вт-тан аспайтын):
1 - төменгі жиілік, ток беру коэффициентінің шекті жиілігі немесе 3 МГц аспайтын максималды жұмыс жиілігі (кесімді жиілік);
2 - орташа жиілік, кесу жиілігі 3-тен жоғары, бірақ 30 МГц-тен аспайды;
3 – жоғары және ультра жоғары жиіліктер, кесу жиілігі 30 МГц жоғары;
Орташа қуатты транзисторлар үшін (максималды қуат шығыны 0,3 Вт-тан жоғары, бірақ 1,5 Вт-тан көп емес):
4 - төмен жиілік, кесу жиілігі 3 МГц аспайтын;
5 - орташа жиілік, кесу жиілігі 3-тен жоғары, бірақ 30 МГц-ден аспайды;
6 - жоғары және ультра жоғары жиіліктер, кесу жиілігі 30 МГц жоғары;
Жоғары қуатты транзисторлар үшін (максималды қуат шығыны 1,5 Вт-тан жоғары):
7 - төмен жиілік, кесу жиілігі 3 МГц аспайтын;
8 - орташа жиілік, кесу жиілігі 3-тен жоғары, бірақ 30 МГц-ден аспайды;
9 – жоғары және ультра жоғары жиіліктер, кесу жиілігі 30 МГц-тен жоғары.
Төртінші элемент - транзистордың дамуының сериялық нөмірін көрсететін сан.
Бесінші элемент - параметрлер бойынша транзисторлардың жіктелуін шартты түрде анықтайтын әріп. Ашық рамкалы құрылғылар үшін дизайнның сәйкес модификациясын сипаттайтын сан қосымша сызықша арқылы белгіленеді:
1 - кристалды ұстағышсыз (субстрат) иілгіш сымдармен;
2 - кристалды ұстағышта (субстрат) иілгіш сымдары бар;
3 - кристалды ұстағышсыз (субстрат) қатты сымдармен;
4 - кристалды ұстағышта (субстрат) қатты сымдармен;
5 - кристалды ұстағышсыз (субстратсыз) және өткізгіштері жоқ контактілермен;
6 - кристалды ұстағышта (субстрат) жанасу төсемдерімен және өткізгіштері жоқ.
***