---

Система условных обозначений биполярных транзисторов

   Система условных обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

   Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор. Используются буквы или цифры:

Г или 1 - для германия или его соединений;
К или 2 - для кремния или его соединений;
А или 3 - для соединений галлия;
И или 4 - для соединений индия.

   Второй элемент - буква, определяющая подкласс (или группу) транзистора.

Т - для биполярных транзисторов;
П - для полевых.

   Третий элемент - цифра, определяющая функциональные возможности транзистора.

   Для транзисторов малой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт):

1 - низкой частоты, с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (граничной частотой) не более 3 МГц;
2 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
3 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

   Для транзисторов средней мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 0,3 Вт, но не более 1,5 Вт):

4 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;
5 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
6 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

   Для транзисторов большой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт):

7 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;
8 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
9 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

   Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки транзистора.

   Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию транзисторов по параметрам.

   Для бескорпусных приборов в состав обозначения дополнительно через дефис вводится цифра, характеризующая соответствующую модификацию конструктивного исполнения;

1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);
2 - с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);
3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);
4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);
5 - с контактными площадками без клисталлодержателя (подложки) и без выводов;
6 - с контактными площадками на клисталлодержателе (подложке) и без выводов;



*

---

Система условных обозначений полевых транзисторов

Система условных обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор. Используются буквы или цифры:

Г или 1 - для германия или его соединений;
К или 2 - для кремния или его соединений;
А или 3 - для соединений галлия;
И или 4 - для соединений индия.

Второй элемент - буква, определяющая подкласс (или группу) транзистора.

Т - для биполярных транзисторов;
П - для полевых.

Третий элемент - цифра, определяющая функциональные возможности транзистора.

Для транзисторов малой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт):

1 - низкой частоты, с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (граничной частотой) не более 3 МГц;
2 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
3 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

Для транзисторов средней мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 0,3 Вт, но не более 1,5 Вт):

4 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;
5 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
6 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

Для транзисторов большой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт):

7 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;
8 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
9 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки транзистора.

Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию транзисторов по параметрам.

Для бескорпусных приборов в состав обозначения дополнительно через дефис вводится цифра, характеризующая соответствующую модификацию конструктивного исполнения;

1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);
2 - с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);
3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);
4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);
5 - с контактными площадками без клисталлодержателя (подложки) и без выводов;
6 - с контактными площадками на клисталлодержателе (подложке) и без выводов;


*

---

Система условных обозначений тиристоров

Система условных обозначений современных типов тиристоров установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен прибор. Используются буквы или цифры:

Г или 1 - для германия или его соединений;
К или 2 - для кремния или его соединений;
А или 3 - для соединений галлия;
И или 4 - для соединений индия.

Второй элемент - буква, определяющая подкласс (или группу) прибора.

Н - для диодных тиристоров;
У - триодных тиристоров.

Третий элемент - цифра, определяющая функциональные возможности тиристора.

Подкласс Н - для диодных тиристоров;

1 - для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока не более 0,3 А;
2 - для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока от 0,3 А до 10 А;

Подкласс У - для триодных тиристоров.

Не запираемые тиристоры

1 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;
2 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более от 0,3 до 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более от 15 до 100 А;
7 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А;

Запираемые тиристоры

3 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;
4 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более от 0,3 до 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более от 15 до 100 А;
8 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А;

Симметричные тиристоры

5 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;
6 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более от 0,3 до 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более от 15 до 100 А;
9 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А;

Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки диода.

Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию тиристоров по параметрам.

Для бескорпусных приборов в состав обозначения дополнительно через дефис вводится цифра, характеризующая соответствующую модификацию конструктивного исполнения;

1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);
2 - с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);
3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);
4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);
5 - с контактными площадками без клисталлодержателя (подложки) и без выводов;
6 - с контактными площадками на клисталлодержателе (подложке) и без выводов;


*

---

Система условных обозначений диодов

Система условных обозначений современных типов диодов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81. В основу системы обозначений положен буквенный-цифровой код.

Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен диод. Используются буквы или цифры:

Г или 1 - для германия или его соединений;
К или 2 - для кремния или его соединений;
А или 3 - для соединений галлия;
И или 4 - для соединений индия.

Второй элемент - буква, определяющая подкласс (или группу) прибора.

Д - для диодов выпрямительных, импульсных, магнитодиодов, термодиодов;
И - для туннельных диодов;
А - для сверхвысокочастотных диодов;
Ц - для выпрямительных столбцов и блоков;
В - для варикапов;
С - для стабилитронов (включая стабисторы и ограничители);
Г - для генераторов шума;

Третий элемент - цифра, определяющая функциональные возможности диода.

Подкласс Д - для диодов выпрямительных, импульсных, магнитодиодов, термодиодов.

1 - для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;
2 - для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока от 0,3 А до 10А;
3 - для магнитодиодов, термодиодов и прочих диодов;
4 - для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления более 500 нс;
5 - для импульсных диодов с временем восстановления от 150 до 500 нс;
6 - для импульсных диодов с временем восстановления от 30 до 150 нс;
7 - для импульсных диодов с временем восстановления от 5 до 30 нс;
8 - для импульсных диодов с временем восстановления от 1 до 5 нс;
9 - для импульсных диодов с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс.

Подкласс И - для туннельных диодов.

1 - для усилительных туннельных диодов;
2 - для генераторных туннельных диодов;
3 - для переключательных туннельных диодов;
4 - для обращенных диодов.

Подкласс А - для сверхвысокочастотных диодов.

1 - для смесительных диодов;
2 - для детекторных диодов;
3 - для усилительных диодов;
4 - для параметрических диодов.
5 - для переключательных и ограничительных диодов;
6 - для умножительных и настроечных диодов;
7 - для генераторных диодов;
8 - для импульсных диодов.

Подкласс Д - для выпрямительных столбов и блоков.

1 - для столбов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;
2 - для столбов с постоянным или средним значением прямого тока от 0,3 до 10 А;
3 - для блоков с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;
4 - для блоков с постоянным или средним значением прямого тока от 0,3 до 10 А;

Подкласс В - для варикапов.

1 - для подстроечных варикапов;
2 - для умножительных варикапов.

Подкласс С - для стабилитронов.

1 - для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальном напряжением стабилизации менее 10 В;
2 - для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальном напряжением стабилизации от 10 до 100 В;
3 - для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальном напряжением стабилизации более 100 В;
4 - для стабилитронов мощностью от 0,3 до 5 Вт с номинальном напряжением стабилизации менее 10 В;
5 - для стабилитронов мощностью от 0,3 до 5 Вт с номинальном напряжением стабилизации от 10 до 100 В;
6 - для стабилитронов мощностью от 0,3 до 5 Вт с номинальном напряжением стабилизации более 100 В;
7 - для стабилитронов мощностью от 5 до 10 Вт с номинальном напряжением стабилизации менее 10 В;
8 - для стабилитронов мощностью от 5 до 10 Вт с номинальном напряжением стабилизации от 10 до 100 В;
9 - для стабилитронов мощностью от 5 до 10 Вт с номинальном напряжением стабилизации более 100 В;

Подкласс Г - для генераторов шума.

1 - для низкочастотных генераторов шума;
2 - для высокочастотных генераторов шума;

Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки диода.

Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию диодов по параметрам.

Для бескорпусных приборов в состав обозначения дополнительно через дефис вводится цифра, характеризующая соответствующую модификацию конструктивного исполнения;

1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);
2 - с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);
3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);
4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);
5 - с контактными площадками без клисталлодержателя (подложки) и без выводов;
6 - с контактными площадками на клисталлодержателе (подложке) и без выводов;

буква Р после последнего элемента обозначения - для СВЧ диодов с парным подбором;
буква Г - с подбором в четверки;
буква К - с подбором в шестерки.


*

---

Система условных обозначений зарубежных радиоэлементов

Американская система JEDEK

Первая цифра:

1 - диод
2 - транзистор
3 - тиристор

За цифрой следует буква N и серийный номер.

Пример: 1N4148, 2N5551

Европейская система PRO ELECTRON

Первая буква - код материала:

A - германий
B - кремний
С - арсенид галлия
R - сульфид кадмия

Вторая буква - назначение:

A - маломощный диод
В - варикап
С - маломощный, низкочастотный транзистор
D - мощный, низкочастотный транзистор
Е - туннельный диод
F - маломощный высокочастотный транзистор
G - несколько приборов в одном корпусе
Н - магнитодиод
L - мощный высокочастотный транзистор
М - датчик Холла
Р - фотодиод, фототранзистор
Q - светодиод
R - маломощный регулирующий или переключающий прибор
S - маломощный переключающий транзистор
T - мощный регулирующий или переключающий прибор
U - мощный переключающий транзистор
Х - умножительный диод
У - мощный выпрямительный диод
Z - стабилитрон

Пример: BC547C, BUZ11, BU508

Японская система JIS

Первый элемент - цифра:

0 - фотодиод, фототранзистор
1 - диод
2 - транзистор
3 - тиристор

Второй элемент - буква S (Semiconductor)

Третий элемент - тип прибора:

А - высокочастотный p-n-p транзистор
B - низкочастотный p-n-p транзистор
С - высокочастотный n-p-n транзистор
D - низкочастотный n-p-n транзистор
Е - диод Есаки
F - тиристор
G - диод Ганна
Н - однопереходной транзистор
I - полевой транзистор с р-каналом
К - полевой транзистор с n-каналом
М - симметричный тиристор (семистор)
Q - светодиод
R - выпрямительный диод
S - слаботочный диод
Т - лавинный диод
V - варикап
Z -стабилитрон

Четвертый элемент обозначает регистрационный номер

Пятый элемент - одна или две буквы - обозначает разные параметры для одного типа прибора.

Пример: 2SA273 (A373), 2SD1555Н (D1555)


*

---

Условные графические обозначения тиристоров



Тиристор диодный (динистор)
Тиристор незапираемый триодный с управлением по аноду
Тиристор незапираемый триодный с управлением по катоду
Тиристор запираемый с управлением по аноду
Тиристор запираемый с управлением по катоду
Триодный симметричный не запираемый тиристор


*

---

Условные графические обозначения полевых транзисторов



Транзистор полевой с каналом n - типа
Транзистор полевой с каналом p - типа
Транзистор полевой c изолированным затвором обогащенного типа с p - каналом
Транзистор полевой c изолированным затвором обогащенного типа с n - каналом
Транзистор полевой c изолированным затвором обедненного типа с p - каналом
Транзистор полевой c изолированным затвором обедненного типа с n - каналом
Транзистор полевой c изолированным затвором обогащенного типа с p - каналом и с выводом от подложки
Транзистор полевой c изолированным затвором обогащенного типа с n - каналом и с внутренним соединением подложки и корпуса
Транзистор полевой c двумя изолированными затворами обедненного типа с n - каналом и с выводом от подложки


*

---

Условные графические обозначения оптоэлектронных приборов



Диод светоизлучающий
Фотодиод
Фототиристор
Оптопара диодная
Оптопара тиристорная
Оптопара транзисторная
Оптопара транзисторная с однопереходным транзистором


*

---

Условные графические обозначения диодов



Диод выпрямительный. Столб выпрямительный. Общее обозначение
Диод туннельный
Стабилитрон односторонний
Диод обращенный
Стабилитрон двусторонний
Варикап


*

---

Условные графические обозначения биполярных транзисторов



Транзистор типа p - n - p
Транзистор типа n - p - n с коллектором, электрически соединенным с корпусом
Лавинный транзистор типа n - p - n
Транзистор однопереходный с n - базой
Транзистор однопереходный с p - базой
Транзистор типа p - n - p с двумя базовыми выводами
Транзистор многоэмиттерный типа n - p - n


*

---

Тема хорошая, если еще иллюстрациями дополнить!