---

Система условных обозначений полевых транзисторов

Система условных обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор. Используются буквы или цифры:

Г или 1 - для германия или его соединений;
К или 2 - для кремния или его соединений;
А или 3 - для соединений галлия;
И или 4 - для соединений индия.

Второй элемент - буква, определяющая подкласс (или группу) транзистора.

Т - для биполярных транзисторов;
П - для полевых.

Третий элемент - цифра, определяющая функциональные возможности транзистора.

Для транзисторов малой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт):

1 - низкой частоты, с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (граничной частотой) не более 3 МГц;
2 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
3 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

Для транзисторов средней мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 0,3 Вт, но не более 1,5 Вт):

4 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;
5 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
6 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

Для транзисторов большой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт):

7 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;
8 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
9 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки транзистора.

Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию транзисторов по параметрам.

Для бескорпусных приборов в состав обозначения дополнительно через дефис вводится цифра, характеризующая соответствующую модификацию конструктивного исполнения;

1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);
2 - с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);
3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);
4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);
5 - с контактными площадками без клисталлодержателя (подложки) и без выводов;
6 - с контактными площадками на клисталлодержателе (подложке) и без выводов;


*