Мои темы

Вы должны быть зарегистрированы, чтобы увидеть содержимое!

Мои темы

Вы должны быть зарегистрированы, чтобы увидеть содержимое!

Мои темы

Вы должны быть зарегистрированы, чтобы увидеть содержимое!

Мои темы

Вы должны быть зарегистрированы, чтобы увидеть содержимое!

Интересное

Google

Сейчас на сайте

> Гостей: 3

> Пользователей: 0

> Всего пользователей: 596
> Новый пользователь: temurigamberdiev

Счетчики





Яндекс.Метрика

Просмотр темы

Radius » Акустика, звук, радиодело » Радиодело - электроника
 Распечатать тему
Радиолюбителям - справочники
Radius
Система условных обозначений биполярных транзисторов

   Система условных обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

   Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор. Используются буквы или цифры:

Г или 1 - для германия или его соединений;
К или 2 - для кремния или его соединений;
А или 3 - для соединений галлия;
И или 4 - для соединений индия.

   Второй элемент - буква, определяющая подкласс (или группу) транзистора.

Т - для биполярных транзисторов;
П - для полевых.

   Третий элемент - цифра, определяющая функциональные возможности транзистора.

   Для транзисторов малой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт):

1 - низкой частоты, с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (граничной частотой) не более 3 МГц;
2 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
3 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

   Для транзисторов средней мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 0,3 Вт, но не более 1,5 Вт):

4 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;
5 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
6 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

   Для транзисторов большой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт):

7 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;
8 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
9 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

   Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки транзистора.

   Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию транзисторов по параметрам.

   Для бескорпусных приборов в состав обозначения дополнительно через дефис вводится цифра, характеризующая соответствующую модификацию конструктивного исполнения;

1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);
2 - с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);
3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);
4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);
5 - с контактными площадками без клисталлодержателя (подложки) и без выводов;
6 - с контактными площадками на клисталлодержателе (подложке) и без выводов;



*

Изменил(а) Radius, 11-10-2012 09:24

 
http://wasp.kzWeb
Radius
Система условных обозначений полевых транзисторов

Система условных обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор. Используются буквы или цифры:

Г или 1 - для германия или его соединений;
К или 2 - для кремния или его соединений;
А или 3 - для соединений галлия;
И или 4 - для соединений индия.

Второй элемент - буква, определяющая подкласс (или группу) транзистора.

Т - для биполярных транзисторов;
П - для полевых.

Третий элемент - цифра, определяющая функциональные возможности транзистора.

Для транзисторов малой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт):

1 - низкой частоты, с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (граничной частотой) не более 3 МГц;
2 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
3 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

Для транзисторов средней мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 0,3 Вт, но не более 1,5 Вт):

4 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;
5 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
6 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

Для транзисторов большой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт):

7 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;
8 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
9 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки транзистора.

Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию транзисторов по параметрам.

Для бескорпусных приборов в состав обозначения дополнительно через дефис вводится цифра, характеризующая соответствующую модификацию конструктивного исполнения;

1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);
2 - с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);
3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);
4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);
5 - с контактными площадками без клисталлодержателя (подложки) и без выводов;
6 - с контактными площадками на клисталлодержателе (подложке) и без выводов;


*
 
http://wasp.kzWeb
Radius
Система условных обозначений тиристоров

Система условных обозначений современных типов тиристоров установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен прибор. Используются буквы или цифры:

Г или 1 - для германия или его соединений;
К или 2 - для кремния или его соединений;
А или 3 - для соединений галлия;
И или 4 - для соединений индия.

Второй элемент - буква, определяющая подкласс (или группу) прибора.

Н - для диодных тиристоров;
У - триодных тиристоров.

Третий элемент - цифра, определяющая функциональные возможности тиристора.

Подкласс Н - для диодных тиристоров;

1 - для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока не более 0,3 А;
2 - для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока от 0,3 А до 10 А;

Подкласс У - для триодных тиристоров.

Не запираемые тиристоры


1 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;
2 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более от 0,3 до 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более от 15 до 100 А;
7 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А;

Запираемые тиристоры

3 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;
4 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более от 0,3 до 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более от 15 до 100 А;
8 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А;

Симметричные тиристоры

5 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;
6 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более от 0,3 до 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более от 15 до 100 А;
9 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А;

Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки диода.

Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию тиристоров по параметрам.

Для бескорпусных приборов в состав обозначения дополнительно через дефис вводится цифра, характеризующая соответствующую модификацию конструктивного исполнения;

1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);
2 - с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);
3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);
4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);
5 - с контактными площадками без клисталлодержателя (подложки) и без выводов;
6 - с контактными площадками на клисталлодержателе (подложке) и без выводов;


*
 
http://wasp.kzWeb
Radius
Система условных обозначений диодов

Система условных обозначений современных типов диодов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81. В основу системы обозначений положен буквенный-цифровой код.

Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен диод. Используются буквы или цифры:

Г или 1 - для германия или его соединений;
К или 2 - для кремния или его соединений;
А или 3 - для соединений галлия;
И или 4 - для соединений индия.

Второй элемент - буква, определяющая подкласс (или группу) прибора.

Д - для диодов выпрямительных, импульсных, магнитодиодов, термодиодов;
И - для туннельных диодов;
А - для сверхвысокочастотных диодов;
Ц - для выпрямительных столбцов и блоков;
В - для варикапов;
С - для стабилитронов (включая стабисторы и ограничители);
Г - для генераторов шума;

Третий элемент - цифра, определяющая функциональные возможности диода.

Подкласс Д - для диодов выпрямительных, импульсных, магнитодиодов, термодиодов.

1 - для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;
2 - для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока от 0,3 А до 10А;
3 - для магнитодиодов, термодиодов и прочих диодов;
4 - для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления более 500 нс;
5 - для импульсных диодов с временем восстановления от 150 до 500 нс;
6 - для импульсных диодов с временем восстановления от 30 до 150 нс;
7 - для импульсных диодов с временем восстановления от 5 до 30 нс;
8 - для импульсных диодов с временем восстановления от 1 до 5 нс;
9 - для импульсных диодов с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс.

Подкласс И - для туннельных диодов.

1 - для усилительных туннельных диодов;
2 - для генераторных туннельных диодов;
3 - для переключательных туннельных диодов;
4 - для обращенных диодов.

Подкласс А - для сверхвысокочастотных диодов.

1 - для смесительных диодов;
2 - для детекторных диодов;
3 - для усилительных диодов;
4 - для параметрических диодов.
5 - для переключательных и ограничительных диодов;
6 - для умножительных и настроечных диодов;
7 - для генераторных диодов;
8 - для импульсных диодов.

Подкласс Д - для выпрямительных столбов и блоков.

1 - для столбов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;
2 - для столбов с постоянным или средним значением прямого тока от 0,3 до 10 А;
3 - для блоков с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;
4 - для блоков с постоянным или средним значением прямого тока от 0,3 до 10 А;

Подкласс В - для варикапов.

1 - для подстроечных варикапов;
2 - для умножительных варикапов.

Подкласс С - для стабилитронов.

1 - для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальном напряжением стабилизации менее 10 В;
2 - для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальном напряжением стабилизации от 10 до 100 В;
3 - для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальном напряжением стабилизации более 100 В;
4 - для стабилитронов мощностью от 0,3 до 5 Вт с номинальном напряжением стабилизации менее 10 В;
5 - для стабилитронов мощностью от 0,3 до 5 Вт с номинальном напряжением стабилизации от 10 до 100 В;
6 - для стабилитронов мощностью от 0,3 до 5 Вт с номинальном напряжением стабилизации более 100 В;
7 - для стабилитронов мощностью от 5 до 10 Вт с номинальном напряжением стабилизации менее 10 В;
8 - для стабилитронов мощностью от 5 до 10 Вт с номинальном напряжением стабилизации от 10 до 100 В;
9 - для стабилитронов мощностью от 5 до 10 Вт с номинальном напряжением стабилизации более 100 В;

Подкласс Г - для генераторов шума.

1 - для низкочастотных генераторов шума;
2 - для высокочастотных генераторов шума;

Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки диода.

Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию диодов по параметрам.

Для бескорпусных приборов в состав обозначения дополнительно через дефис вводится цифра, характеризующая соответствующую модификацию конструктивного исполнения;

1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);
2 - с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);
3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);
4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);
5 - с контактными площадками без клисталлодержателя (подложки) и без выводов;
6 - с контактными площадками на клисталлодержателе (подложке) и без выводов;

буква Р после последнего элемента обозначения - для СВЧ диодов с парным подбором;
буква Г - с подбором в четверки;
буква К - с подбором в шестерки.


*
 
http://wasp.kzWeb
Radius
Система условных обозначений зарубежных радиоэлементов

Американская система JEDEK

Первая цифра:

1 - диод
2 - транзистор
3 - тиристор

За цифрой следует буква N и серийный номер.

Пример: 1N4148, 2N5551

Европейская система PRO ELECTRON

Первая буква - код материала:

A - германий
B - кремний
С - арсенид галлия
R - сульфид кадмия

Вторая буква - назначение:

A - маломощный диод
В - варикап
С - маломощный, низкочастотный транзистор
D - мощный, низкочастотный транзистор
Е - туннельный диод
F - маломощный высокочастотный транзистор
G - несколько приборов в одном корпусе
Н - магнитодиод
L - мощный высокочастотный транзистор
М - датчик Холла
Р - фотодиод, фототранзистор
Q - светодиод
R - маломощный регулирующий или переключающий прибор
S - маломощный переключающий транзистор
T - мощный регулирующий или переключающий прибор
U - мощный переключающий транзистор
Х - умножительный диод
У - мощный выпрямительный диод
Z - стабилитрон

Пример: BC547C, BUZ11, BU508

Японская система JIS

Первый элемент - цифра:

0 - фотодиод, фототранзистор
1 - диод
2 - транзистор
3 - тиристор

Второй элемент - буква S (Semiconductor)

Третий элемент - тип прибора:

А - высокочастотный p-n-p транзистор
B - низкочастотный p-n-p транзистор
С - высокочастотный n-p-n транзистор
D - низкочастотный n-p-n транзистор
Е - диод Есаки
F - тиристор
G - диод Ганна
Н - однопереходной транзистор
I - полевой транзистор с р-каналом
К - полевой транзистор с n-каналом
М - симметричный тиристор (семистор)
Q - светодиод
R - выпрямительный диод
S - слаботочный диод
Т - лавинный диод
V - варикап
Z -стабилитрон

Четвертый элемент обозначает регистрационный номер

Пятый элемент - одна или две буквы - обозначает разные параметры для одного типа прибора.

Пример: 2SA273 (A373), 2SD1555Н (D1555)


*
 
http://wasp.kzWeb
Radius
Условные графические обозначения тиристоров

www.radius.kz/images/tiristor.png

Тиристор диодный (динистор)
Тиристор незапираемый триодный с управлением по аноду
Тиристор незапираемый триодный с управлением по катоду
Тиристор запираемый с управлением по аноду
Тиристор запираемый с управлением по катоду
Триодный симметричный не запираемый тиристор


*
 
http://wasp.kzWeb
Radius
Условные графические обозначения полевых транзисторов

www.radius.kz/images/pol_tranz.png

Транзистор полевой с каналом n - типа
Транзистор полевой с каналом p - типа
Транзистор полевой c изолированным затвором обогащенного типа с p - каналом
Транзистор полевой c изолированным затвором обогащенного типа с n - каналом
Транзистор полевой c изолированным затвором обедненного типа с p - каналом
Транзистор полевой c изолированным затвором обедненного типа с n - каналом
Транзистор полевой c изолированным затвором обогащенного типа с p - каналом и с выводом от подложки
Транзистор полевой c изолированным затвором обогащенного типа с n - каналом и с внутренним соединением подложки и корпуса
Транзистор полевой c двумя изолированными затворами обедненного типа с n - каналом и с выводом от подложки


*
 
http://wasp.kzWeb
Radius
Условные графические обозначения оптоэлектронных приборов

www.radius.kz/images/opto-electr.png

Диод светоизлучающий
Фотодиод
Фототиристор
Оптопара диодная
Оптопара тиристорная
Оптопара транзисторная
Оптопара транзисторная с однопереходным транзистором


*
 
http://wasp.kzWeb
Radius
Условные графические обозначения диодов

www.radius.kz/images/diods.png

Диод выпрямительный. Столб выпрямительный. Общее обозначение
Диод туннельный
Стабилитрон односторонний
Диод обращенный
Стабилитрон двусторонний
Варикап


*
 
http://wasp.kzWeb
Radius
Условные графические обозначения биполярных транзисторов

www.radius.kz/images/bipol_tranz.png

Транзистор типа p - n - p
Транзистор типа n - p - n с коллектором, электрически соединенным с корпусом
Лавинный транзистор типа n - p - n
Транзистор однопереходный с n - базой
Транзистор однопереходный с p - базой
Транзистор типа p - n - p с двумя базовыми выводами
Транзистор многоэмиттерный типа n - p - n


*
 
http://wasp.kzWeb
Перейти на форум:
Время загрузки: 0.41 секунд - 68 Запросов
2,843,298 уникальных посетителей