Мои темы

Вы должны быть зарегистрированы, чтобы увидеть содержимое!

Мои темы

Вы должны быть зарегистрированы, чтобы увидеть содержимое!

Мои темы

Вы должны быть зарегистрированы, чтобы увидеть содержимое!

Мои темы

Вы должны быть зарегистрированы, чтобы увидеть содержимое!

Интересное

Google

Сейчас на сайте

> Гостей: 1

> Пользователей: 0

> Всего пользователей: 595
> Новый пользователь: Bivis

Счетчики





Яндекс.Метрика

Условные обозначения отечественных транзисторовПечать

Условные обозначения отечественных транзисторов

 

Система условных обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

 

 

Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор. Используются буквы или цифры:

 

- Г или 1 - для германия или его соединений;

- К или 2 - для кремния или его соединений;

- А или 3 - для соединений галлия;

- И или 4 - для соединений индия.

 

 

Второй элемент - буква, определяющая подкласс (или группу) транзистора.

 

- Т - для биполярных транзисторов;

- П - для полевых.

 

 

Третий элемент - цифра, определяющая функциональные возможности транзистора. Для транзисторов малой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт):

 

1 - низкой частоты, с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (граничной частотой) не более 3 МГц;

2 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

3 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

 

Для транзисторов средней мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 0,3 Вт, но не более 1,5 Вт):

 

4 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;

5 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

6 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

 

Для транзисторов большой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт):

 

7 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;

8 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

9 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц.

 

 

Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки транзистора.

 

 

Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию транзисторов по параметрам. Для бескорпусных приборов в состав обозначения дополнительно через дефис вводится цифра, характеризующая соответствующую модификацию конструктивного исполнения:

 

1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);

2 - с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);

3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);

4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);

5 - с контактными площадками без клисталлодержателя (подложки) и без выводов;

6 - с контактными площадками на клисталлодержателе (подложке) и без выводов.

 

 

***

Понравилась статья?
Нет комментариев.

Добавить комментарий

Пожалуйста, авторизуйтесь для добавления комментария.
Время загрузки: 0.23 секунд - 58 Запросов
2,815,791 уникальных посетителей