• Radius
• 21 Apr 2018
• Радиоэлектроника
• 1784 Прочтений
• 0 Комментариев

Условные обозначения отечественных транзисторов

Система условных обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор. Используются буквы или цифры:

- Г или 1 - для германия или его соединений;

- К или 2 - для кремния или его соединений;

- А или 3 - для соединений галлия;

- И или 4 - для соединений индия.

Второй элемент - буква, определяющая подкласс (или группу) транзистора.

- Т - для биполярных транзисторов;

- П - для полевых.

Третий элемент - цифра, определяющая функциональные возможности транзистора. Для транзисторов малой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт):

1 - низкой частоты, с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (граничной частотой) не более 3 МГц;

2 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

3 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

Для транзисторов средней мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 0,3 Вт, но не более 1,5 Вт):

4 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;

5 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

6 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

Для транзисторов большой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт):

7 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;

8 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

9 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц.

Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки транзистора.

Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию транзисторов по параметрам. Для бескорпусных приборов в состав обозначения дополнительно через дефис вводится цифра, характеризующая соответствующую модификацию конструктивного исполнения:

1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);

2 - с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);

3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);

4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);

5 - с контактными площадками без клисталлодержателя (подложки) и без выводов;

6 - с контактными площадками на клисталлодержателе (подложке) и без выводов.

***

Отандық транзисторлардың нышандары - Кеңес Одағында жасалған

Транзисторлардың қазіргі түрлерінің символдық жүйесі OST 11 336.919-81 салалық стандартымен белгіленген. Белгілеу жүйесі әріптік-цифрлық кодқа негізделген.

Бірінші элемент транзистор жасалған бастапқы жартылай өткізгіш материалды білдіреді. Қолданылатын әріптер немесе сандар:

- G немесе 1 - германий немесе оның қосылыстары үшін;
- К немесе 2 - кремний немесе оның қосылыстары үшін;
- А немесе 3 - галлий қосылыстары үшін;
- Ал немесе 4 - индий қосылыстары үшін.

Екінші элемент транзистордың қосалқы сыныбын (немесе тобын) анықтайтын әріп болып табылады.

- T - биполярлы транзисторлар үшін;
- P - өріс үшін.

Үшінші элемент - транзистордың функционалдығын анықтайтын сан. Төмен қуатты транзисторлар үшін (қуаттың максималды шығыны 0,3 Вт-тан аспайтын):

1 - төменгі жиілік, ток беру коэффициентінің шекті жиілігі немесе 3 МГц аспайтын максималды жұмыс жиілігі (кесімді жиілік);
2 - орташа жиілік, кесу жиілігі 3-тен жоғары, бірақ 30 МГц-тен аспайды;
3 – жоғары және ультра жоғары жиіліктер, кесу жиілігі 30 МГц жоғары;

Орташа қуатты транзисторлар үшін (максималды қуат шығыны 0,3 Вт-тан жоғары, бірақ 1,5 Вт-тан көп емес):

4 - төмен жиілік, кесу жиілігі 3 МГц аспайтын;
5 - орташа жиілік, кесу жиілігі 3-тен жоғары, бірақ 30 МГц-ден аспайды;
6 - жоғары және ультра жоғары жиіліктер, кесу жиілігі 30 МГц жоғары;

Жоғары қуатты транзисторлар үшін (максималды қуат шығыны 1,5 Вт-тан жоғары):

7 - төмен жиілік, кесу жиілігі 3 МГц аспайтын;
8 - орташа жиілік, кесу жиілігі 3-тен жоғары, бірақ 30 МГц-ден аспайды;
9 – жоғары және ультра жоғары жиіліктер, кесу жиілігі 30 МГц-тен жоғары.

Төртінші элемент - транзистордың дамуының сериялық нөмірін көрсететін сан.

Бесінші элемент - параметрлер бойынша транзисторлардың жіктелуін шартты түрде анықтайтын әріп. Ашық рамкалы құрылғылар үшін дизайнның сәйкес модификациясын сипаттайтын сан қосымша сызықша арқылы белгіленеді:

1 - кристалды ұстағышсыз (субстрат) иілгіш сымдармен;
2 - кристалды ұстағышта (субстрат) иілгіш сымдары бар;
3 - кристалды ұстағышсыз (субстрат) қатты сымдармен;
4 - кристалды ұстағышта (субстрат) қатты сымдармен;
5 - кристалды ұстағышсыз (субстратсыз) және өткізгіштері жоқ контактілермен;
6 - кристалды ұстағышта (субстрат) жанасу төсемдерімен және өткізгіштері жоқ.

***